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A4003_直流斩波器

直流斩波器

1 方案论证

1.1  主电路方案论证

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1.1.1  方案1:升压斩波电路

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升压斩波电路的基本原理

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工作原理:

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假设L值、C值很大,V通时,E向L充电,充电电流恒为I1,同时C的电压向负载供电,因C值很大,输出电压Uo为恒值,记为Uo。设V通的时间为ton,此阶段L上积蓄的能量为EI1ton

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V断时,E和L共同向C充电并向负载R供电。设V断的时间为toff,则此期间电感L释放能量为             (1-1)

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    a)

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图1-2升压斩波电路及其工作波形

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a)电路图b)波形

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稳态时,一个周期T中L积蓄能量与释放能量相等,得

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                         (1-2)

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输出电压高于电源电压,故称升压斩波电路。也称之为boost变换器

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进一步分析:

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a L储能之后具有使电压泵升的作用

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b 电容C可将输出电压保持

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1.1.2  方案2:降压斩波电路

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斩波电路的典型用途之一是拖动直流电动机,也可带蓄电池负载,两种情况下负载中均会出现反电动势,如图1-3中Em所示。为使io连续且脉动小,通常使L值较大。

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数量关系

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电流连续时,负载电压平均值

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                (1-3)

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a——导通占空比,简称占空比或导通比

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Uo最大为E,减小a,Uo随之减小——降压斩波电路。也称为Buck变换器。

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负载电流平均值   I=Ud/R                       (1-4)

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电流断续时,Uo平均值会被抬高,一般不希望出现

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斩波电路三种控制方式

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a 脉冲宽度调制(PWM)或脉冲调宽型——T不变,调节ton,应用最多

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b 频率调制或调频型——ton不变,改变T

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c 混合型——ton和T都可调,使占空比改变

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                    a)

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图1-1降压斩波电路的原理图及波形

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a)电路图b)电流连续时的波形c)电流断续时的波形

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1.1.3  升压斩波电路和降压斩波电路比效

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因为本设计的思想是将电网供电电压为单相220V的交流电变为输出电压U0在50-200V之间可调的电压,根据对上面两种基本斩波电路原理的简叙和其波形图,容易发现降压调节电路非常容易满足设计要求,但升压电路则与所提供的电源以及要求输出U0不合。因而,不宜采用升压电路。对比可知,本设计应采用方案2。

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1.2  控制电路方案论证

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1.2.1  方案1采用集成芯片SG3525来设计电路

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SG3525其集成芯片包含了保护电路,驱动电路,只需要将斩波主电路和同步信号产生电路加人其中即可。

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另外,采用IGBT作为控制开关,其速度相当高,开关损耗小,在电压1000V以上,IGBT的开关损耗只有GTR的十分之一,与电力MOSFET相当。在相同的电压和电流的情况下,IGBT的安全电压较大,而且具有耐压脉冲。IGBT的通态压降比MOSFET要小,特别是在电流较大的区域。IGBT输入的阻抗高。

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从以上方框图可以看出:使用集成电路结构简单明了,并且使用集成电路还有一个更加优越的特性,那就是其可靠性好,体积小,功耗低,调试方便。

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1.2.2  方案2采用分立式器件来设计电路

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如果选用分立式器件来设计电路,电路框图如下所示。从方框图可以看出此种方案涉及的电路单元太多,电路结构趋于复杂,对于设计、产品的开发有是极其不利的。

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综合上述两种方案的优缺点,明显体现出了方案1极大的优越性,所以方案1为本设计电路首选。

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2  主电路设计及其原理说明

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2.1  整流电路的设计

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电路原理图如下

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2.2  降压斩波电路的设计

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2.2.1  电路原理图及波形

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降压斩波电路(Buck chopper)的原理图及工作波形如图A所示。图中V为全控型器件,选用IGBT。D为续流二极管。由图A(b)中V的栅极电压波形UGE可知,当V处于通态时,电源Ui向负载供电,UD=Ui。当V处于断态时,负载电流经二极管D续流,电压UD近似为零,至一个周期T结束,再驱动V导通,重复上一周期的过程。负载电压的平均值为:

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           (2—1)

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 式中ton为V处于通态的时间,toff为V处于断态的时间,T开关周期,α为导通占空比,简称占空比或导通比(α=ton/T)。由此可知,输出到负载的电压平均值UO最大为Ui,若减小占空比α,则UO随之减小,由于输出电压低于输入电压,故称该电路为降压斩波电路。

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(a)  电路图

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图A   降压斩波电路原理图及波形

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本直流斩波电路作用是将直流电压转换为50至200V可调的直流电压,其工作原理是:当控制脉冲使Q2导通后,电容C开始充电,输出电压U0加到负载R的两端,在电容C充电的过程中,电感L内的电流逐渐增加,储存的磁场能量也逐渐增加,此时,续流二极管D因反向而截止,经过时间Ton后,当控制信号使Q2截止时,L中电流减小,在L两端的感应电动势使D导通,L中储存的磁场能量通过续流二极管D传送给负载,当负载中电压低于电容C两端的电压时,C便向负载放电,经过时间Toff后,控制脉冲又使Q2导通.上述过程重复发生.

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3  控制电路的设计

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3.1  脉宽调制电路的设计

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根据IGBT的特点,采用脉宽调制(PWM)控制方式对开关管的占空比进行控制.

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3.2  驱动电路的设计及其原则

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由于驱动IGBT所需要的功率较大,由SG3525产生的PWM信号不能直接驱动IGBT,因此必须要设置驱动电路,一个理想的IGBT驱动电路要有以下的原则:

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1.  动态的驱动力强,能为IGBT栅极提供具有前后沿的驱动脉冲,IGBT会在导通及关断时产生较大的开关损耗,特别是在斩波电路中,由于其工作频率较高使开关损耗更为突出。 因此,驱动电路必须具有足够是瞬时电流吞吐能力,才能使IGBT栅极电压建立和消失的够快,从而使开关损耗降到最低。

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2.  能向IGBT提供适当的正向和反向栅压,IGBT导通后的管压降与所加的栅源电压有关,在漏电压一定的情况下,UGB越高,UDB就越低,器件的导通损耗就越小,这有利于充分发挥管子的工作能力,但是,并不是UGB越高就好,一般不允许超过20V,因为如果一发生过流或者短路,栅压越高,电流的幅值就越大,IGBT的损坏的可能性就越大,通常,综合考虑取UGB为15V。IGBT在关断的期间,由于电路中的其他部分在工作,会在栅极产生一些高频振荡信号,这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通的状态,增加管子的功耗,重则使电路处于直通的状态,因此,在处于截止状态的IGBT加一个反向的电压,一般是5到15V,使IGBT在栅极出现开关噪声时仍然可以关断。

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3.  有足够的输入输出隔离能力,由于IGBT与工频电网有直接电的联系,而控制电路一般不希望如此,因此驱动电路具有电隔离能力可以保证设备的正常工作,同时也有利于维修调试人员的安全,但是,这种隔离是不能影响正常工作的。

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4.  当IGBT处于负载短路时或过流状态时,能在IGBT允许是时间内通过逐渐降低栅压自动抑制故障电路,实现IGBT的软关断,当IGBT处于负载短路或过流状态时,过高di/dt会产生过高的电压尖峰,使IGBT承受不住而损坏,因此驱动电路应该具有定时栅压的控制能力,由于电路中电容的存在,IGBT在导通时会出现尖峰电流,驱动电路的逻辑栅压应能够抑制这一瞬间的尖峰电流,并在尖峰电流过后,恢复正常栅压,以保障电路的正常工作。

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根据以上的原则,本设计选用光耦合驱动芯片HL402作为驱动电路,他的运行频率为40HZ,具有软降栅压,软关断等功能。同时,HL402的保护电路比较齐全。他设置了三个可控的时间电路以控制、延迟栅压时间和软关断时间,当过流出现时,可立即或延迟降低栅压,限制了过流值的继续增大,防止了过流瞬间造成的锁定现象,随着栅极电压的降低,IGBT进入放大区,其压降有所增加,短路电流明显的减小,短路的承受时间被延长,IGBT能在延长的时间内判断是否为真的故障电流,如果是瞬时的过流,可在过流结束后立即将栅压恢复到正常栅压,如果是真的过流,可在延长的时间的末端将栅极电压软关断,切断过流。

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3.3.3  控制电路方框图

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控制电路如下:

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原理简要:

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本控制电路是以SG3525 为核心构成,SG3525 为美国Silicon General 公司生产的专用,它集成了PWM 控制电路,其内部电路结构及各引脚功能如图2(a)所示,它采用恒频脉宽调制控制方案,内部包含有精密基准源,锯齿波振荡器,误差放大器,比较器,分频器和保护电路等.调节Ur 的大小,在11,14两端可输出两个幅度相等,频率相等,相位相差,占空比可调的矩形波(即PWM信号).然后,将脉冲信号送往芯片HL402,对微信号进行升压处理,再把经过处理的电平信号送往IGBT,对其触发,以满足主电路的要求。

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4  主电路参数计算和元器件的选择

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4.1  开关管IGBT的选择

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(1)、开关管IGBT的耐压值,当开关管截止时,续流二极管导通,稳压电源的全部输入电压都加在开关管的集射极间,因此,开关管的耐压值VCBO必须大于前级整流电路的输出电压Uwi,考虑到其他因素的影响,开关管集射级间电压U’按下式选取:

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(2).当开关管导通时,负载电流及电容充电电流都通过开关管,因此开关管的集电极电流必须大于负载电流,开关管的最大集电极IB可由下式求得:

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式中I0为负载的电流,Uwi为整流输出电压,toff为开关管的截止时间.

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(3).续流二极管的选择

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当开关管截止时,续流二极管导通,滤波电感内存储的能量通过续流二极管传输到负载.由此可知,续流二极管的正向额定电流必须大于开关管的最大集电极电流.当开关管饱和时,集电极间的电压可以忽略不记,续流二极管的耐压值必须大于前级整流电路的输出电压Uwi.

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(4).电感的选取

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电感可以由下式求得,

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式中U0为输出电压,Ui是输入电压,Iomin为电感续流的临界负荷电流。

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(5)、输出电容可以按照经验值取1000μF/A

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(6)、根据以上的原则,我们先设占空比为α,0<α<1,要得到U0的输出值在50V到200V可调,此时如果取U0取最大值为200V,由降压斩波电路的参数Ui  =αU0,将变压器的变比定为10:1,则整流输出电压大概为22V× 0.9=19.8V,由Ui  =αU0 此时如果选择α=0.396,则输出电压U0为50V,如果选择α=0.1时可以得到输出电压约为200V,符合条件。

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因此,我们选择变压器的变比为10:1,

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5 芯片资料

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5.1  HL402

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结构图

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工作原理

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     HL402的原理框图如图2所示。图中,VL1为带静电屏蔽的光耦合器,用来实现与输入信号的隔离。由于它具有静电屏蔽功能,因而显著提高了HL402的抗共模干扰能力。图中的V2为脉冲放大器,晶体管V3、V4可用于实现驱动脉冲功率放大,V5为降栅压比较器,正常情况下由于引脚9输入的IGBT集电极电压VCE不高于V5的基准电压VREF而使得V5不翻转,晶体管V6不导通,故从引脚17、16输入的驱动脉冲信号经V2整形后不被封锁。该驱动脉冲经V3、V4放大后提供给被驱动的IGBT以使之导通或关断。一旦被驱动的IGBT退饱和,则引脚9输入的集电极电压取样信号VCE将高于V5的基准电压VREF,从而使比较器V5翻转后输出高电平,使晶体管V6导通,并由稳压管VD2将驱动器输出的栅极电压VGE降低到10V。此时,软关断定时器V8在降栅压比较器V5翻转达到设定的时间后,输出正电压使晶体管V7导通,并将栅极电压关断降到IGBT的栅极-发射极门槛电压,以便给被驱动的IGBT提供一个负的驱动电压,从而保证被驱动的IGBT可靠关断。

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5.1.1  HL402参数的选择

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由于HL402内含一个具有静电屏蔽层的高速光耦合器,因而可以实现信号隔离,它抗干扰能力强,响应速度快,隔离电压高。并具有对被驱动功率IGBT进行降栅压、软关断的双重保护功能。在软关断及降栅压的同时还将输出报警信号,以实现对封锁脉冲或分断主回路的保护。它的输出驱动电压幅值很高,其正向驱动电压可达15~17V,负向驱动电压可达10~12V,因而可用来直接驱动容量为150A/1200V以下的功率IGBT。

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5.1.2 极限参数

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HL402的极限参数如下:    ●供电电压VC:30V(VCC为15~18V,VEE为-10~-12V);    ●光耦输入峰值电流If:20mA;    ●正向输出电流+IG:2A(脉宽<2μs、频率为40kHz、占空比<0.05时);    ●负向输出电流-IG:2A(脉宽<2μs、频率为40kHz、占空比<0.05时);    ●输入、输出隔离电压Viso:2500V(工频1min)。    HL402的电源电压VC的推荐值为25V(VCC=+15V,VEE=10V);光耦合器输入峰值电流If为10~12mA。

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5.1.3 HL402主要参数

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下面是HL402的主要电参数:    ●输出正向驱动电压+VG:≥VCC-1V;    ●输出负向驱动电压-VC:≥VEE-1V;    ●输出正向电压响应时间tON≤1μs(输入信号上升沿<0.1μs,If=0→10mA);

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本设计中,HL402的主要电参数及其周围电路参数如下:

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高饱和压降的IGBT(VCES≥3.5V),C5、C6、C7的推荐值分别为:C5取3000pF,C6取200pF,C7取1200pF,此时降栅压延迟时间t1约为2μs,降栅压时间t2约为10μs,软关断时间t3约为4μs。

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C1、C3的典型值为0.1μF,C2、C4为100μF/25V,VD4、VD5可取0.5V。

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5.2   SG3525芯片

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5.2.1 SG3625的主要结构图

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SG3525是定频PWM电路,采用16引脚标准DIP封装。其各引脚功能如图2(a)所示,内部框图如图2(b)所示。脚8为软起动端。

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(a)SG3525的引脚

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(b)内部框图

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图2    SG3525引脚及内部框图

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各引脚具体功能:

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1、2脚:为误差放大器正反向输入端,因3525内部误差放大器性能不好,所以在控制模块中没有使用。

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3脚:为同步时钟控制输入端,

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4脚:为振荡输出端;

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5、6脚:为振荡器Ct、Rt接入端,f=1/Ct(0.7Rt+3Rd

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7脚:为Ct放电端,改变Rd可改变死区时间

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8脚:慢起动,当8脚电压从0V—5V时,脉宽从零到最大。

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9脚:补偿(反馈输入)端,9脚的电压决定了输出脉宽大小。

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10脚:关闭端,当10脚电平超过1V,脉宽关闭。

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11、14脚:脉冲输出端,输出相位相反的两路脉冲。

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12、15脚:为芯片接地和供电端

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13脚:输出信号供电端。

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16脚:输出+5V基准电压。

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5.2.3  主要电路及其功能

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    1)锁定电路    电路主要作用是当IC输入电压<8V时,集成块内部电路锁定,停止工作(基准源及必要电路除外),使之消耗电流降至很小(约2mA)。

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    2)有软起动电路    比较器的反相端即软起动控制端脚8可外接软起动电容。该电容由内部5V基准参考电压的50μA恒流源充电,使占空比由小到大(50%)变化。

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    3)比较器有两个反相输入端   反相输入端,误差放大器与关闭电路各自送至比较器的反相端。这样,便避免了彼此相互影响,有利于误差放大器和补偿网络工作精度的提高。

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    4)PWM锁存器   使关闭作用更可靠,比较器(脉冲宽度调制)输出送到PWM锁存器,锁存器由关闭电路置位,由振荡器输出时间脉冲复位。这样,当关闭电路动作,即使过电流信号立即消失,锁存器也可维持一个周期的关闭控制,直到下一个周期时钟信号使锁存器复位为止。

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    5)振荡器  SG3525的振荡器, CT及RT引脚,放电引脚7、同步引脚3。RT阻值决定对CT充电的内部恒流值,CT的放电则由脚5及脚7之间外接的电阻值RD决定。把充电和放电回路分开,有利于通过RD来调节死区的时间,这是重大的改进。在SG3525中增加了同步引脚3专为外同步用,为多个SG3525的联用提供了方便。 

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SG3525增加的工作性能在实际应用中具有重要意义。例如,脚8增加的软起动功能,避免了开关电源在开机瞬间的电流冲击,可能造成的末级功率开关管。

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参考文献

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1王兆安,黄俊.电力电子技术(第4版).北京:机械工业出版社,2000

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2谢自美.电子线路设计-实验-测试(第二版).华中科技大学出版社,2002

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3刘志刚.电力电子学.北京:清华大学出版社,北京交通大学出版社,2004

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4周志敏,周纪海.开关电源实用技术设计与应用.北京:人民邮电出版社,2004

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