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光电效应与康普顿效应的研究

上式称为爱因斯坦光电效应方程。其中为光电子的动能,为光电子逸出金属表面所需的最小能量,称为逸出功。 copyright paper51.com

爱因斯坦的光子理论可以完善的解释光电效应[13]。他的理论的完美表现如下:

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a、饱和电流与入射光强度成正比:入射光的强度是由单位时间内到达金属表面的光子数决定的[4]。入射光强大时,单位时间内到达金属表面单位面积的光子增多,产生的光电子数也增多,这些光电子全部到达阳极A时形成饱和电流,因而饱和电流与入射光强度成正比。

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b、入射光的频率需大于某一频率:对于一定的金属,为定值,可见光子频率越高,光电子的初动能越大;当入射光频率低于红限频率(截止频率)不会有光电子逸出[10][14]。

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c、最大初动能只依赖于入射光的频率:当电子在金属的表面时,所需要的逸出为0,由(2)式知,光电子的最大初动能只依赖于入射光的频率,与照射光的光强无关。 内容来自www.paper51.com

d、光电效应的瞬时性:金属中电子是一次全部吸收入射光子的能量,因此,光电效应的产生无需积累能量的时间,所以光电效应是瞬时发生的[15][16]。

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3.康普顿效应

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3.1.康普顿散射的实验现象及装置

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图 3 康普顿散射的实验示意图 内容来自www.paper51.com

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